吕仁庆,李俊玲,刘晨光.深度脱硫噻吩衍生物的电子和空间性质理论研究[J].分子催化,2004,(3):229-233
深度脱硫噻吩衍生物的电子和空间性质理论研究
A Theoretical Study on Effect of Electronic and Steric Structures of Thiophene Derivatives for Their Deep Desulfurization
  
DOI:
中文关键词:  噻吩衍生物 深度脱硫 密度泛函理论 基组
英文关键词:Thiophene derivatives  Deep desulfurization  Density functional theory  Basis set
基金项目:
吕仁庆  李俊玲  刘晨光
石油大学(华东)
化学化工学院,石油大学(华东)
化学化工学院,石油大学(华东)
化学化工学院 山东东营257061,山东东营257061,山东东营257061
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中文摘要:
      我们采用从头计算的密度泛函理论方法在B3LYP水平上,其中H原子采用3-21G基组,C原子采用6-31G(d)基组,S原子采用6-31G (d)基组对2-甲基噻吩,苯并噻吩,2-甲基苯并噻吩,二苯并噻吩,4-甲基-二苯并噻吩,4,6-二甲基二苯并噻吩等噻吩衍生物进行了几何优化.研究结果表明电子性质可影响噻吩衍生物的加氢脱硫活性,但空间因素对噻吩衍生物的加氢脱硫活性影响很大,从而证实了提高噻吩衍生物加氢脱硫活性方案的可行性.
英文摘要:
      
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